碳化硼是一種新型非氧化物陶瓷材料,因其具有熔點(diǎn)高、硬度高、密度低、熱穩(wěn)定性好、抗化學(xué)侵蝕能力強(qiáng)和中子吸收能力強(qiáng)而被應(yīng)用于國(guó)防軍工領(lǐng)域,在國(guó)民安全的維護(hù)中發(fā)揮著重要的作用。碳化硼陶瓷的制備熱壓燒結(jié)熱壓燒結(jié)由于高...
超高溫陶瓷(UHTCs)通常指熔點(diǎn)超過(guò)3000℃,并在極端環(huán)境中保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)的一類(lèi)特殊陶瓷材料,通常包括過(guò)渡金屬硼化物、碳化物、氮化物及其復(fù)合材料。閱讀鏈接:1、熱壓燒結(jié)設(shè)備2、氣壓燒結(jié)設(shè)備3、無(wú)壓燒結(jié)設(shè)備4、反應(yīng)...
SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)
高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述導(dǎo) 讀碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一,適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT(物理氣相傳輸)法生...
1 硅的瓶頸與寬禁帶半導(dǎo)體的興起1、 Si 材料的歷史與瓶頸上世紀(jì)五十年代以來(lái),以硅(Si)材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路(IC)為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而,由于硅材料的帶...
碳/碳復(fù)合材料是指以碳纖維及其織物增強(qiáng)的碳基體復(fù)合材料。作為增強(qiáng)體的碳纖維可用多種形式和種類(lèi),既可以用短切纖維,也可以用連續(xù)長(zhǎng)纖維及編織物。碳基體可以是通過(guò)化學(xué)氣相沉積制備的熱解碳,也可以是高分子材料熱解形...